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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors

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EBOOK IN LINGUA STRANIERA

Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors

di Farzan Jazaeri (Autore)

Jean-Michel Sallese (Autore)

Cambridge University Press, 2018

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Descrizione

The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field.

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Dettagli

Autore:

Farzan Jazaeri, Jean-Michel Sallese

Anno edizione:

2018

Editore:

Cambridge University Press

Formato:

EPUB2 con Adobe DRM

Testo in en

Compatibilità:

Tutti i dispositivi (eccetto Kindle) Scopri di più

Layout:

Reflowable

EAN:

9781108581394

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