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Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction - Juin Jei Liou,Adelmo Ortiz-Conde,Francisco Garcia-Sanchez - cover

LIBRO INGLESE

Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction

Name: Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction
Price: 206.70 EUR
Availability: InStock
Author: Juin Jei Liou
ISBN: 0412146010

di Juin Jei Liou (Autore)

Adelmo Ortiz-Conde (Autore)

Francisco Garcia-Sanchez (Autore)

Chapman and Hall, 1998

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Descrizione

Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology.

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Dettagli

Autore:

Juin Jei Liou, Adelmo Ortiz-Conde, Francisco Garcia-Sanchez

Editore:

Chapman and Hall

Anno:

1998

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

349 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 155 mm

EAN:

9780412146015

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