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Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials - Dinh Van Tuan - cover

LIBRO INGLESE

Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials

Name: Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials
Price: 63.20 EUR
Availability: InStock
Author: Dinh Van Tuan
ISBN: 331925569X

di Dinh Van Tuan (Autore)

Springer International Publishing AG, 2015

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Descrizione

This thesis presents an in-depth theoretical analysis of charge and spin transport properties in complex forms of disordered graphene. It relies on innovative real space computational methods of the time-dependent spreading of electronic wave packets. First a universal scaling law of the elastic mean free path versus the average grain size is predicted for polycrystalline morphologies, and charge mobilities of up to 300.000 cm2/V.s are determined for 1 micron grain size, while amorphous graphene membranes are shown to behave as Anderson insulators. An unprecedented spin relaxation mechanism, unique to graphene and driven by spin/pseudospin entanglement is then reported in the presence of weak spin-orbit interaction (gold ad-atom impurities) together with the prediction of a crossover from a quantum spin Hall Effect to spin Hall effect (for thallium ad-atoms), depending on the degree of surface ad-atom segregation and the resulting island diameter.

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Dettagli

Autore:

Dinh Van Tuan

Editore:

Springer International Publishing AG

Collana:

Springer Theses

Anno:

2015

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

153 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 155 mm

EAN:

9783319255699

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