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Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices - Tanya K. Gachovska,Jerry L. Hudgins,Enrico Santi - cover

LIBRO INGLESE

Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices

Name: Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices
Price: 38.60 EUR
Availability: InStock
Author: Tanya K. Gachovska
ISBN: 3031013700

di Tanya K. Gachovska (Autore)

Jerry L. Hudgins (Autore)

Enrico Santi (Autore)

Springer International Publishing AG, 2013

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Descrizione

This book presents physics-based models of bipolar power semiconductor devices and their implementation in MATLAB and Simulink. The devices are subdivided into different regions, and the operation in each region, along with the interactions at the interfaces which are analyzed using basic semiconductor physics equations that govern their behavior. The Fourier series solution is used to solve the ambipolar diffusion equation in the lightly doped drift region of the devices. In addition to the external electrical characteristics, internal physical and electrical information, such as the junction voltages and the carrier distribution in different regions of the device, can be obtained using the models.

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Dettagli

Autore:

Tanya K. Gachovska, Jerry L. Hudgins, Enrico Santi

Editore:

Springer International Publishing AG

Collana:

Synthesis Lectures on Power Electronics

Anno:

2013

Rilegatura:

Paperback / softback

Pagine:

88 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 191 mm

EAN:

9783031013706

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