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Parameter-Centric Scaled FET Devices

di Nabil Shovon Ashraf (Autore)

Springer, 2025

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Descrizione

Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy. The book is focused on the extraction of parameters for silicon-based FET models that critically determine the FET performance at room temperature as well as at very low temperatures. Emphasize is put on analysis that is based on the device physics, especially at low (cryogenic) temperatures. Performance of gate-all-around (GAA) nanowire FETs, and stacked nanosheet complementary FETs (C-FET) are also discussed.

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Dettagli

Autore:

Nabil Shovon Ashraf

Anno edizione:

2025

Editore:

Springer

Formato:

EPUB3 con Adobe DRM

Lingua:

Inglese

Compatibilità:

Tutti i dispositivi (eccetto Kindle) Scopri di più

Layout:

Reflowable

EAN:

9783031842863

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