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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov - cover
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov - cover

Descrizione


Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Dettagli

Computational Microelectronics
2016
Paperback / softback
252 p.
Testo in English
240 x 168 mm
9783709119334
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