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Gallium Oxide: Materials Properties, Crystal Growth, and Devices - cover

LIBRO INGLESE

Gallium Oxide: Materials Properties, Crystal Growth, and Devices

Masataka Higashiwaki (Curatore)

Shizuo Fujita (Curatore)

Springer Nature Switzerland AG, 2021

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This book provides comprehensive coverage of the new wide-bandgap semiconductor gallium oxide (Ga2O3). Ga2O3 has been attracting much attention due to its excellent materials properties. It features an extremely large bandgap of greater than 4.5 eV and availability of large-size, high-quality native substrates produced from melt-grown bulk single crystals. Ga2O3 is thus a rising star among ultra-wide-bandgap semiconductors and represents a key emerging research field for the worldwide semiconductor community. Expert chapters cover physical properties, synthesis, and state-of-the-art applications, including materials properties, growth techniques of melt-grown bulk single crystals and epitaxial thin films, and many types of devices. The book is an essential resource for academic and industry readers who have an interest in, or plan to start, a new R&D project related to Ga2O3.

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Dettagli

Curatore:

Masataka Higashiwaki, Shizuo Fujita

Editore:

Springer Nature Switzerland AG

Collana:

Springer Series in Materials Science

Anno:

2021

Rilegatura:

Paperback / softback

Pagine:

764 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 155 mm

EAN:

9783030371555

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