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Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults

EBOOK IN LINGUA STRANIERA

Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults

di Ireneusz Mrozek (Autore)

Springer, 2018

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Descrizione

This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory. The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march testing processes. Formal methods for multi-run test generation and many solutions to increase their efficiency are described in detail. All methods presented ideas are verified by both analytical investigations and numerical simulations. Provides the first book related exclusively to the problem of multi-cell fault detection by multi-run tests in memory testing process; Presents practical algorithms for design and implementation of efficient multi-run tests; Demonstrates methods verified by analytical and experimental investigations.

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Dettagli

Autore:

Ireneusz Mrozek

Anno edizione:

2018

Editore:

Springer

Formato:

EPUB2 con Adobe DRM

Lingua:

Inglese

Compatibilità:

Tutti i dispositivi (eccetto Kindle) Scopri di più

Layout:

Reflowable

EAN:

9783319912042

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