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Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change - Hai Li,Yiran Chen - cover

LIBRO INGLESE

Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change

Name: Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change
Price: 479.40 EUR
Availability: InStock
Author: Hai Li
ISBN: 1439807450

di Hai Li (Autore)

Yiran Chen (Autore)

Taylor & Francis Inc, 2011

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Descrizione

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.

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Dettagli

Autore:

Hai Li, Yiran Chen

Editore:

Taylor & Francis Inc

Anno:

2011

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

208 p.

Testo in English

Dimensioni:

234 x 156 mm

Peso:

498 gr.

EAN:

9781439807453

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