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Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect - Jie Cheng - cover

LIBRO INGLESE

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

Name: Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect
Price: 133.00 EUR
Availability: InStock
Author: Jie Cheng
ISBN: 9811061645

di Jie Cheng (Autore)

Springer Verlag, Singapore, 2017

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Descrizione

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material. Pursuing a systematic approach to resolve the remaining critical issues in the CMP, it first investigates the tribocorrosion properties and the material removal mechanisms of copper (Cu) and Ru in KIO4-based slurry. The thesis subsequently studies Cu/Ru galvanic corrosion from a new micro and in-situ perspective, and on this basis, seeks ways to mitigate corrosion using different slurry additives. The findings presented here constitute a significant advance in fundamental and technical investigations into the CMP, while also laying the groundwork for future research.

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Dettagli

Autore:

Jie Cheng

Editore:

Springer Verlag, Singapore

Collana:

Springer Theses

Anno:

2017

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

137 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 155 mm

EAN:

9789811061646

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