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Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT - Yabin Sun - cover

LIBRO INGLESE

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

Name: Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Price: 132.80 EUR
Availability: InStock
Author: Yabin Sun
ISBN: 9811046115

di Yabin Sun (Autore)

Springer Verlag, Singapore, 2017

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Descrizione

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.

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Dettagli

Autore:

Yabin Sun

Editore:

Springer Verlag, Singapore

Collana:

Springer Theses

Anno:

2017

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

168 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 155 mm

EAN:

9789811046117

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