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Silicon Carbide 2008 — Materials, Processing and Devices: Volume 1069 - cover

LIBRO INGLESE

Silicon Carbide 2008 — Materials, Processing and Devices: Volume 1069

Michael Dudley (Curatore)

C. Mark Johnson (Curatore)

Materials Research Society, 2008

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Descrizione

Silicon carbide (SiC) is a robust semiconductor material being actively developed for high-power and high-temperature applications, especially in the field of power electronics and sensors for harsh environments. This book, the fifth in a continuing series, focuses on SiC growth, defects, and devices. New developments in the growth of bulk SiC single-crystal materials, advances in the epitaxial growth of SiC, and progress in the characterization of materials properties and defects in SiC are featured. The volume also highlights the development of devices manufactured on this wide-bandgap semiconductor including: innovative device designs; characterization of device and materials properties; and improvements in wide-bandgap processing technology.

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Dettagli

Curatore:

Michael Dudley, C. Mark Johnson

Editore:

Materials Research Society

Collana:

MRS Proceedings

Anno:

2008

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

283 p.

Testo in English

Peso:

518 gr.

EAN:

9781605110394

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