Chiudi

Aggiungi l'articolo in

Chiudi
Aggiunto

L’articolo è stato aggiunto alla lista dei desideri

Chiudi

Crea nuova lista

Zinc Oxide: From Fundamental Properties Towards Novel Applications - Claus F. Klingshirn,Andreas Waag,Axel Hoffmann - cover
Zinc Oxide: From Fundamental Properties Towards Novel Applications - Claus F. Klingshirn,Andreas Waag,Axel Hoffmann - cover
Dati e Statistiche
Wishlist Salvato in 0 liste dei desideri
Zinc Oxide: From Fundamental Properties Towards Novel Applications
Disponibilità in 2 settimane
209,10 €
209,10 €
Disp. in 2 settimane
Chiudi

Altre offerte vendute e spedite dai nostri venditori

Altri venditori
Prezzo e spese di spedizione
ibs
Spedizione Gratis
209,10 €
Vai alla scheda completa
Altri venditori
Prezzo e spese di spedizione
ibs
Spedizione Gratis
209,10 €
Vai alla scheda completa
Altri venditori
Prezzo e spese di spedizione
Chiudi
ibs
Chiudi

Tutti i formati ed edizioni

Chiudi
Zinc Oxide: From Fundamental Properties Towards Novel Applications - Claus F. Klingshirn,Andreas Waag,Axel Hoffmann - cover

Descrizione


After the invention of semiconductor-based recti?ers and diodes in the ?rst half of the last century, the advent of the transistor paved the way for semiconductors in electronic data handling starting around the mid of the last century. The transistors widely replaced the vacuum tubes, which had even been used in the ?rst generation of computers, the Z3 developed by Konrad Zuse in the 1940s of the last century. The ?rst transistors were individually housed semiconductor devices, which had to be soldered into the electric circuits. Later on, integrated circuits were developed with increasing numbers of individual elements per square inch. The materials changed from, e. g. , PbS and Se in rf-detectors and recti?ers used frequentlyin the ?rst halfof the last centuryoverthe groupIV element semicond- tor Ge with a band gap of 0. 7eV at room temperature to Si with a value of 1. 1eV. The increase of the gap reduced the leakage current and its temperature dependence signi?cantly. Therefore, the logical step was to try GaAs with a band gap of 1. 4eV next. However, the technology of this semiconductor from the group of III-V c- poundsprovedto be muchmoredif?cult,thoughbeautifuldeviceconceptshadbeen developed. Therefore,GaAsanditsalloysandnanostructureswithotherIII-Vc- poundslike AlGaAs or InP remained restricted in electronicsto special applications like transistors for extremely high frequencies, the so-called high electron mobility transistors (HEMT). The IT industry is still mainly based on Si and will remain so in the foreseeable nearer future.
Leggi di più Leggi di meno

Dettagli

Springer Series in Materials Science
2012
Paperback / softback
300 p.
Testo in English
235 x 155 mm
9783642264047
Chiudi
Aggiunto

L'articolo è stato aggiunto al carrello

Informazioni e Contatti sulla Sicurezza dei Prodotti

Le schede prodotto sono aggiornate in conformità al Regolamento UE 988/2023. Laddove ci fossero taluni dati non disponibili per ragioni indipendenti da IBS, vi informiamo che stiamo compiendo ogni ragionevole sforzo per inserirli. Vi invitiamo a controllare periodicamente il sito www.ibs.it per eventuali novità e aggiornamenti.
Per le vendite di prodotti da terze parti, ciascun venditore si assume la piena e diretta responsabilità per la commercializzazione del prodotto e per la sua conformità al Regolamento UE 988/2023, nonché alle normative nazionali ed europee vigenti.

Per informazioni sulla sicurezza dei prodotti, contattare productsafetyibs@feltrinelli.it

Chiudi

Aggiungi l'articolo in

Chiudi
Aggiunto

L’articolo è stato aggiunto alla lista dei desideri

Chiudi

Crea nuova lista

Chiudi

Chiudi

Siamo spiacenti si è verificato un errore imprevisto, la preghiamo di riprovare.

Chiudi

Verrai avvisato via email sulle novità di Nome Autore