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Emerging Non-Volatile Memories

Seungbum Hong (Curatore)

Orlando Auciello (Curatore)

Springer-Verlag New York Inc., 2014

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Descrizione

This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future trends in the field. Readers will find coverage of seven important memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), Multiferroic RAM (MFRAM), Phase-Change Memories (PCM), Oxide-based Resistive RAM (RRAM), Probe Storage, and Polymer Memories. Chapters are structured to reflect diffusions and clashes between different topics. Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory. This book also: Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others. Provides an overview of non-volatile memory fundamentals. Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.

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Dettagli

Curatore:

Seungbum Hong, Orlando Auciello

Editore:

Springer-Verlag New York Inc.

Anno:

2014

Rilegatura:

Hardback

Pagine:

273 p.

Testo in English

Dimensioni:

235 x 155 mm

EAN:

9781489975362

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