Chiudi

Aggiungi l'articolo in

Chiudi
Aggiunto

L’articolo è stato aggiunto alla lista dei desideri

Chiudi

Crea nuova lista

Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits
Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits
Dati e Statistiche
Wishlist Salvato in 0 liste dei desideri
Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits
Scaricabile subito
187,19 €
187,19 €
Scaricabile subito
Chiudi
Altri venditori
Prezzo e spese di spedizione
ibs
187,19 € Spedizione gratuita
scaricabile subito scaricabile subito
Info
Nuovo
Altri venditori
Prezzo e spese di spedizione
ibs
187,19 € Spedizione gratuita
scaricabile subito scaricabile subito
Info
Nuovo
Altri venditori
Prezzo e spese di spedizione
Chiudi

Tutti i formati ed edizioni

Chiudi
Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits
Chiudi

Promo attive (0)

Chiudi

Informazioni del regalo

Descrizione


As the complexity and the density of VLSI chips increase with shrinking design rules, the evaluation of long-term reliability of MOS VLSI circuits is becoming an important problem. The assessment and improvement of reliability on the circuit level should be based on both the failure mode analysis and the basic understanding of the physical failure mechanisms observed in integrated circuits. Hot-carrier induced degrada tion of MOS transistor characteristics is one of the primary mechanisms affecting the long-term reliability of MOS VLSI circuits. It is likely to become even more important in future generation chips, since the down ward scaling of transistor dimensions without proportional scaling of the operating voltage aggravates this problem. A thorough understanding of the physical mechanisms leading to hot-carrier related degradation of MOS transistors is a prerequisite for accurate circuit reliability evaluation. It is also being recognized that important reliability concerns other than the post-manufacture reliability qualification need to be addressed rigorously early in the design phase. The development and use of accurate reliability simulation tools are therefore crucial for early assessment and improvement of circuit reliability : Once the long-term reliability of the circuit is estimated through simulation, the results can be compared with predetermined reliability specifications or limits. If the predicted reliability does not satisfy the requirements, appropriate design modifications may be carried out to improve the resistance of the devices to degradation.
Leggi di più Leggi di meno

Dettagli

2015
Testo in en
Tutti i dispositivi (eccetto Kindle) Scopri di più
Reflowable
9781461532507
Chiudi
Aggiunto

L'articolo è stato aggiunto al carrello

Compatibilità

Formato:

Gli eBook venduti da IBS.it sono in formato ePub e possono essere protetti da Adobe DRM. In caso di download di un file protetto da DRM si otterrà un file in formato .acs, (Adobe Content Server Message), che dovrà essere aperto tramite Adobe Digital Editions e autorizzato tramite un account Adobe, prima di poter essere letto su pc o trasferito su dispositivi compatibili.

Compatibilità:

Gli eBook venduti da IBS.it possono essere letti utilizzando uno qualsiasi dei seguenti dispositivi: PC, eReader, Smartphone, Tablet o con una app Kobo iOS o Android.

Cloud:

Gli eBook venduti da IBS.it sono sincronizzati automaticamente su tutti i client di lettura Kobo successivamente all’acquisto. Grazie al Cloud Kobo i progressi di lettura, le note, le evidenziazioni vengono salvati e sincronizzati automaticamente su tutti i dispositivi e le APP di lettura Kobo utilizzati per la lettura.

Clicca qui per sapere come scaricare gli ebook utilizzando un pc con sistema operativo Windows

Chiudi

Aggiungi l'articolo in

Chiudi
Aggiunto

L’articolo è stato aggiunto alla lista dei desideri

Chiudi

Crea nuova lista

Chiudi

Chiudi

Siamo spiacenti si è verificato un errore imprevisto, la preghiamo di riprovare.

Chiudi

Verrai avvisato via email sulle novità di Nome Autore